Фотоприемные устройства на основе кремния, германия, арсенида индия галлия на спектральный диапазон 0,3-1,7 мкмШирокое применение находят полупроводниковые фотодиоды (ФД) на основе монокристаллических полупроводниковых материалов кремния, германия и гетероструктур соединений А3В5. Общий спектральный диапазон работы этих фотоприемников - 0,3-1,7 мкм, то есть от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного диапазона. Применение материала А3В5 позволяет значительно улучшить параметры фотодиодов, по сравнению с германиевыми ФД, в части темновых токов и быстродействия. Основные области применения фотоприемников и фотоприемных устройств на основе Si, Ge, InGaAs, как в гражданской, так и в военной технике - волоконно-оптические линии связи, системы наведения, лазерные головки самонаведения, авиационные бомбы с наведением по лазерному лучу, лазерные дальномеры, системы обнаружения лазерного излучения, гражданские теодолиты, охранные устройства, различные системы автоматики и многое другое. Общее, что характеризует эти фотоприемники - возможность без искажения воспроизводить световой импульс, высокая монохроматическая токовая чувствительность, малые темновые токи, возможность работы без охлаждения. Конструкции фотоприемников и фотоприемных устройств предназначены для конкретных применений. |