О предприятии

История предприятия

1946	Распоряжением Совета Народных Комисаров создается Научно- исследовательский институт №801.
1948	Начались первые работы по приемникам на основе селенида свинца.
1953	НИИ 801 переведен в систему Министерства радиотехнической промышленности (МРТП).
1960	Началась разработка фотодиодов на основе монокристаллического кремния.
1966	НИИ 801 был переименован в Научно-исследовательский институт прикладной физики (НИИПФ).
1970	Создана новая технология осаждения слоев сульфида свинца.
1972	Организован филиал НИИ прикладной физики в г. Баку.
1977	Организовано Научно-производственное объединение «Орион».
1981	Разработки космической теплопеленгационной аппаратуры удостоены Государственной премии СССР.
1983	В состав НПО «Орион» введен НИИПФ.
1989	Разработаны методы высокочастотного глубокого травления КРТ в ртутной плазме.
1991	Из состава НПО «Орион» вышли НИИТЭП, завод «Альфа», НИИЭИО, предприятия «Оплот», «Элидап», «Метрон».
1994	НПО «Орион» присвоен статус Государственного научного центра.
1996	Выпущены новые фотоприемные устройства в конструкции с машинами Стирлинга интегрального типа.
2000	Работы по созданию научно-технологических основ материала КРТ и фотодиодов на его основе удостоены Государственной премии РФ.
2002	Разработано новое поколение фотоприемных устройств из сульфида и селенида свинца.
2004	Разработаны экспериментальные образцы матриц из антимонида индия на область спектра 3-5 мкм формата 128х128.
2006	60 лет со дня основания предприятия.

Основные сведения о предприятии

(на июнь 2011 г.)

Название	ФГУП «НПО «Орион»
Основано	1946 г.
Общее число работающих	1,500
Генеральный директор	Филачев Анатолий Михайлович
Первый заместитель генерального директора-директор по экономике и финансам	Корнеева Марина Дамировна
И.о. заместителя генерального директора по научной работе и инновациям	Бурлаков Игорь Дмитриевич
Главный технолог - начальник производства	Еремчук Анатолий Иванович
Главный инженер	Проскурин Виктор Михайлович
Основная продукция	- фотоприемники и фотоприемные устройства (в том числе линейные и матричные) для широкой области спектра - от ультрафиолетовой до дальней инфракрасной (от 0,2 до 12 мкм) на основе различных полупроводниковых материалов (InSb, HgCdTe, PbS, PbSe, GaP, Si, Ge, InGaAs); - микроэлектронные схемы считывания, усиления и обработки фотосигналов (в том числе для работы при криогенных температурах).
Производственная площадь	200,000 м²

Прием в аспирантуру

по специальностям

01.04.04 - Физическая электроника;
01.04.10 - Физика полупроводников;
05.11.07 - Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы;
05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах;
05.27.02 - Вакуумная и плазменная электроника;
05.27.06 - Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники.

Срок обучения в очной аспирантуре - 3 года, в заочной аспирантуре - 4 года. Аспиранты-очники зачисляются на инженерные должности в научно-технические центры, в которых ведут диссертационные исследования. Юноши, обучающиеся в очной аспирантуре, получают отсрочку от службы в армии. Возрастной ценз для обучения в аспирантуре не устанавливается.

Желающим поступить в аспирантуру необходимо пройти собеседование с предполагаемым научным руководителем из числа сотрудников «НПО «Орион», который сообщает о результатах собеседования в приемную комиссию, выражая свое согласие быть научным руководителем и допуская абитуриента к вступительным экзаменам.

Для участия в приёмных экзаменах необходимо подать заявление на имя Генерального директора.

К заявлению прилагаются:

Копия диплома государственного образца о высшем профессиональном образовании и приложения к нему.
Анкета (с фотографией).
Список опубликованных научных работ, изобретений и отчётов по научно-исследовательской работе, при наличии у поступающего научных работ и изобретений или реферат.
Удостоверение о сдаче кандидатских экзаменов, при наличии у поступающих сданных кандидатских экзаменов.

Документ, удостоверяющий личность, и диплом государственного образца об окончании высшего учебного заведения, поступающие в аспирантуру, предъявляют лично.

Приём документов до 10 сентября 2007 года.

Конкурсные вступительные экзамены по общей физике, философии и иностранному языку проводятся в два потока с 20 сентября по 20 октября 2007 года. Зачисление после каждого потока.

Лица, сдавшие полностью или частично кандидатские экзамены, при поступлении в аспирантуру освобождаются от соответствующих вступительных экзаменов.

Результаты выпускных магистерских экзаменов по философии и иностранному языку засчитываются в качестве вступительных экзаменов в аспирантуру при условии, если в индивидуальном плане магистра были предусмотрены магистерские экзамены по этим предметам.

Лицам, допущенным к сдаче вступительных экзаменов в аспирантуру, предоставляется отпуск до 30 календарных дней с сохранением заработной платы по месту работы.

Контактный телефон - (495) 374-81-20, (495) 373-49-70.